購買 SI4660DY-T1-GE3與BYCHPS
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VGS(TH)(最大)@標識: | 2.2V @ 250µA |
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技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
供應商設備封裝: | 8-SO |
系列: | TrenchFET® |
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓: | 5.8 mOhm @ 15A, 10V |
功率耗散(最大): | 3.1W (Ta), 5.6W (Tc) |
封装: | Tape & Reel (TR) |
封裝/箱體: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
其他名稱: | SI4660DY-T1-GE3TR SI4660DYT1GE3 |
工作溫度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
安裝類型: | Surface Mount |
濕度敏感度(MSL): | 1 (Unlimited) |
製造商零件編號: | SI4660DY-T1-GE3 |
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds: | 2410pF @ 15V |
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs: | 45nC @ 10V |
FET型: | N-Channel |
FET特點: | - |
展開說明: | N-Channel 25V 23.1A (Tc) 3.1W (Ta), 5.6W (Tc) Surface Mount 8-SO |
漏極至源極電壓(Vdss): | 25V |
描述: | MOSFET N-CH 25V 23.1A 8-SOIC |
電流 - 25°C連續排水(Id): | 23.1A (Tc) |
Email: | [email protected] |