購買 SI4455DY-T1-GE3與BYCHPS
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VGS(TH)(最大)@標識: | 4V @ 250µA |
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Vgs(最大): | ±20V |
技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
供應商設備封裝: | 8-SO |
系列: | TrenchFET® |
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓: | 295 mOhm @ 4A, 10V |
功率耗散(最大): | 5.9W (Tc) |
封装: | Original-Reel® |
封裝/箱體: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
其他名稱: | SI4455DY-T1-GE3DKR |
工作溫度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
安裝類型: | Surface Mount |
濕度敏感度(MSL): | 1 (Unlimited) |
製造商標準交貨期: | 15 Weeks |
製造商零件編號: | SI4455DY-T1-GE3 |
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds: | 1190pF @ 50V |
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs: | 42nC @ 10V |
FET型: | P-Channel |
FET特點: | - |
展開說明: | P-Channel 150V 2A (Ta) 5.9W (Tc) Surface Mount 8-SO |
驅動電壓(最大Rds開,最小Rds開): | 6V, 10V |
漏極至源極電壓(Vdss): | 150V |
描述: | MOSFET P-CH 150V 2A 8-SO |
電流 - 25°C連續排水(Id): | 2A (Ta) |
Email: | [email protected] |