購買 SI4401DY-T1-E3與BYCHPS
購買即有保證
VGS(TH)(最大)@標識: | 1V @ 250µA (Min) |
---|---|
技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
供應商設備封裝: | 8-SO |
系列: | TrenchFET® |
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓: | 15.5 mOhm @ 10.5A, 10V |
功率耗散(最大): | 1.5W (Ta) |
封装: | Tape & Reel (TR) |
封裝/箱體: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
其他名稱: | SI4401DY-T1-E3-ND SI4401DY-T1-E3TR SI4401DYT1E3 |
工作溫度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
安裝類型: | Surface Mount |
濕度敏感度(MSL): | 1 (Unlimited) |
製造商零件編號: | SI4401DY-T1-E3 |
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds: | - |
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs: | 50nC @ 5V |
FET型: | P-Channel |
FET特點: | - |
展開說明: | P-Channel 40V 8.7A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount 8-SO |
漏極至源極電壓(Vdss): | 40V |
描述: | MOSFET P-CH 40V 8.7A 8-SOIC |
電流 - 25°C連續排水(Id): | 8.7A (Ta) |
Email: | [email protected] |