購買 SI4062DY-T1-GE3與BYCHPS
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| VGS(TH)(最大)@標識: | 2.6V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs(最大): | ±20V |
| 技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
| 供應商設備封裝: | 8-SO |
| 系列: | TrenchFET® |
| RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓: | 4.2 mOhm @ 20A, 10V |
| 功率耗散(最大): | 7.8W (Tc) |
| 封装: | Original-Reel® |
| 封裝/箱體: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| 其他名稱: | SI4062DY-T1-GE3DKR |
| 安裝類型: | Surface Mount |
| 濕度敏感度(MSL): | 1 (Unlimited) |
| 製造商標準交貨期: | 24 Weeks |
| 製造商零件編號: | SI4062DY-T1-GE3 |
| 輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds: | 3175pF @ 30V |
| 柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs: | 60nC @ 10V |
| FET型: | N-Channel |
| FET特點: | - |
| 展開說明: | N-Channel 60V 32.1A (Tc) 7.8W (Tc) Surface Mount 8-SO |
| 驅動電壓(最大Rds開,最小Rds開): | 4.5V, 10V |
| 漏極至源極電壓(Vdss): | 60V |
| 描述: | MOSFET N-CH 60V 32.1A 8-SO |
| 電流 - 25°C連續排水(Id): | 32.1A (Tc) |
| Email: | [email protected] |