SI3812DV-T1-E3
SI3812DV-T1-E3
型號:
SI3812DV-T1-E3
製造商:
Vishay / Siliconix
描述:
MOSFET N-CH 20V 2A 6-TSOP
無鉛狀態/ RoHS狀態:
無鉛/符合RoHS
庫存數量:
12392 Pieces
數據表:
SI3812DV-T1-E3.pdf

簡單介紹

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產品特性

VGS(TH)(最大)@標識:600mV @ 250µA (Min)
技術:MOSFET (Metal Oxide)
供應商設備封裝:6-TSOP
系列:LITTLE FOOT®
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓:125 mOhm @ 2.4A, 4.5V
功率耗散(最大):830mW (Ta)
封装:Tape & Reel (TR)
封裝/箱體:SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
其他名稱:SI3812DV-T1-E3TR
工作溫度:-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型:Surface Mount
濕度敏感度(MSL):1 (Unlimited)
製造商零件編號:SI3812DV-T1-E3
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds:-
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs:4nC @ 4.5V
FET型:N-Channel
FET特點:Schottky Diode (Isolated)
展開說明:N-Channel 20V 2A (Ta) 830mW (Ta) Surface Mount 6-TSOP
漏極至源極電壓(Vdss):20V
描述:MOSFET N-CH 20V 2A 6-TSOP
電流 - 25°C連續排水(Id):2A (Ta)
Email:[email protected]

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