購買 SI2309DS-T1-E3與BYCHPS
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VGS(TH)(最大)@標識: | 1V @ 250µA (Min) |
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技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
供應商設備封裝: | SOT-23-3 (TO-236) |
系列: | TrenchFET® |
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓: | 340 mOhm @ 1.25A, 10V |
功率耗散(最大): | 1.25W (Ta) |
封装: | Tape & Reel (TR) |
封裝/箱體: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
其他名稱: | SI2309DS-T1-E3TR |
工作溫度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
安裝類型: | Surface Mount |
濕度敏感度(MSL): | 1 (Unlimited) |
製造商零件編號: | SI2309DS-T1-E3 |
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds: | - |
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs: | 12nC @ 10V |
FET型: | P-Channel |
FET特點: | - |
展開說明: | P-Channel 60V 1.25W (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) |
漏極至源極電壓(Vdss): | 60V |
描述: | MOSFET P-CH 60V 1.25A SOT23-3 |
電流 - 25°C連續排水(Id): | - |
Email: | [email protected] |