購買 SI1489EDH-T1-GE3與BYCHPS
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VGS(TH)(最大)@標識: | 700mV @ 250µA |
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Vgs(最大): | ±5V |
技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
供應商設備封裝: | SOT-363 |
系列: | TrenchFET® |
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓: | 48 mOhm @ 3A, 4.5V |
功率耗散(最大): | 1.56W (Ta), 2.8W (Tc) |
封装: | Tape & Reel (TR) |
封裝/箱體: | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
其他名稱: | SI1489EDH-T1-GE3-ND SI1489EDH-T1-GE3TR |
工作溫度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
安裝類型: | Surface Mount |
濕度敏感度(MSL): | 1 (Unlimited) |
製造商標準交貨期: | 24 Weeks |
製造商零件編號: | SI1489EDH-T1-GE3 |
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds: | - |
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs: | 16nC @ 4.5V |
FET型: | P-Channel |
FET特點: | - |
展開說明: | P-Channel 8V 2A (Tc) 1.56W (Ta), 2.8W (Tc) Surface Mount SOT-363 |
驅動電壓(最大Rds開,最小Rds開): | 1.2V, 4.5V |
漏極至源極電壓(Vdss): | 8V |
描述: | MOSFET P-CH 8V 2A SOT-363 |
電流 - 25°C連續排水(Id): | 2A (Tc) |
Email: | [email protected] |