購買 SI1078X-T1-GE3與BYCHPS
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| VGS(TH)(最大)@標識: | 1.5V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs(最大): | ±12V |
| 技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
| 系列: | TrenchFET® |
| RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓: | 142 mOhm @ 1A, 10V |
| 功率耗散(最大): | 240mW (Tc) |
| 封装: | Original-Reel® |
| 封裝/箱體: | SOT-563, SOT-666 |
| 其他名稱: | SI1078X-T1-GE3DKR |
| 工作溫度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 安裝類型: | Surface Mount |
| 濕度敏感度(MSL): | 1 (Unlimited) |
| 製造商標準交貨期: | 16 Weeks |
| 製造商零件編號: | SI1078X-T1-GE3 |
| 輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds: | 110pF @ 15V |
| 柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs: | 3nC @ 4.5V |
| FET型: | N-Channel |
| FET特點: | - |
| 展開說明: | N-Channel 30V 1.02A (Tc) 240mW (Tc) Surface Mount |
| 驅動電壓(最大Rds開,最小Rds開): | 2.5V, 10V |
| 漏極至源極電壓(Vdss): | 30V |
| 描述: | MOSFET N-CH 30V 1.02A SOT563F |
| 電流 - 25°C連續排水(Id): | 1.02A (Tc) |
| Email: | [email protected] |