購買 RT1E040RPTR與BYCHPS
購買即有保證
VGS(TH)(最大)@標識: | 2.5V @ 1mA |
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Vgs(最大): | ±20V |
技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
供應商設備封裝: | 8-TSST |
系列: | - |
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓: | 45 mOhm @ 4A, 10V |
功率耗散(最大): | 550mW (Ta) |
封装: | Tape & Reel (TR) |
封裝/箱體: | 8-SMD, Flat Lead |
其他名稱: | RT1E040RPTRTR RT1E040RPTRTR-ND |
工作溫度: | 150°C (TJ) |
安裝類型: | Surface Mount |
濕度敏感度(MSL): | 1 (Unlimited) |
製造商標準交貨期: | 10 Weeks |
製造商零件編號: | RT1E040RPTR |
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds: | 1000pF @ 10V |
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs: | 20nC @ 10V |
FET型: | P-Channel |
FET特點: | - |
展開說明: | P-Channel 30V 4A (Ta) 550mW (Ta) Surface Mount 8-TSST |
驅動電壓(最大Rds開,最小Rds開): | 4V, 10V |
漏極至源極電壓(Vdss): | 30V |
描述: | MOSFET P-CH 30V 4A TSST8 |
電流 - 25°C連續排水(Id): | 4A (Ta) |
Email: | [email protected] |