購買 RN1110MFV,L3F與BYCHPS
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| 電壓 - 集電極發射極擊穿(最大): | 50V |
|---|---|
| Vce飽和(最大)@ IB,IC: | 300mV @ 500µA, 5mA |
| 晶體管類型: | NPN - Pre-Biased |
| 供應商設備封裝: | VESM |
| 系列: | - |
| 電阻 - 發射極基(R 2)(歐姆): | - |
| 電阻 - 基(R 1)(歐姆): | 4.7k |
| 功率 - 最大: | 150mW |
| 封装: | Tape & Reel (TR) |
| 封裝/箱體: | SOT-723 |
| 其他名稱: | RN1110MFV(TL3,T) RN1110MFV(TL3T)TR RN1110MFV(TL3T)TR-ND RN1110MFV,L3F(B RN1110MFV,L3F(T RN1110MFVL3F RN1110MFVL3F-ND RN1110MFVL3FTR RN1110MFVTL3T |
| 安裝類型: | Surface Mount |
| 濕度敏感度(MSL): | 1 (Unlimited) |
| 製造商標準交貨期: | 16 Weeks |
| 製造商零件編號: | RN1110MFV,L3F |
| 頻率 - 轉換: | - |
| 展開說明: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150mW Surface Mount VESM |
| 描述: | TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM |
| 直流電流增益(HFE)(最小值)@ IC,的Vce: | 120 @ 1mA, 5V |
| 電流 - 集電極截止(最大): | 100nA (ICBO) |
| 電流 - 集電極(Ic)(最大): | 100mA |
| Email: | [email protected] |