購買 RN1105MFV,L3F與BYCHPS
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電壓 - 集電極發射極擊穿(最大): | 50V |
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Vce飽和(最大)@ IB,IC: | 300mV @ 500µA, 5mA |
晶體管類型: | NPN - Pre-Biased |
供應商設備封裝: | VESM |
系列: | - |
電阻 - 發射極基(R 2)(歐姆): | 47k |
電阻 - 基(R 1)(歐姆): | 2.2k |
功率 - 最大: | 150mW |
封装: | Tape & Reel (TR) |
封裝/箱體: | SOT-723 |
其他名稱: | RN1105MFV(TL3,T) RN1105MFV(TL3T)TR RN1105MFV(TL3T)TR-ND RN1105MFV,L3F(B RN1105MFV,L3F(T RN1105MFV,L3FTR RN1105MFVTL3T |
安裝類型: | Surface Mount |
濕度敏感度(MSL): | 1 (Unlimited) |
製造商標準交貨期: | 16 Weeks |
製造商零件編號: | RN1105MFV,L3F |
頻率 - 轉換: | - |
展開說明: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150mW Surface Mount VESM |
描述: | TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM |
直流電流增益(HFE)(最小值)@ IC,的Vce: | 80 @ 10mA, 5V |
電流 - 集電極截止(最大): | 500nA |
電流 - 集電極(Ic)(最大): | 100mA |
Email: | [email protected] |