RGT30NS65DGTL
RGT30NS65DGTL
型號:
RGT30NS65DGTL
製造商:
LAPIS Semiconductor
描述:
IGBT 650V 30A 133W TO-263S
無鉛狀態/ RoHS狀態:
無鉛/符合RoHS
庫存數量:
15887 Pieces
數據表:
RGT30NS65DGTL.pdf

簡單介紹

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產品特性

電壓 - 集電極發射極擊穿(最大):650V
的VCE(on)(最大)@ VGE,IC:2.1V @ 15V, 15A
測試條件:400V, 15A, 10 Ohm, 15V
Td(開/關)@ 25°C:18ns/64ns
開關能量:-
供應商設備封裝:LPDS (TO-263S)
系列:-
反向恢復時間(trr):55ns
功率 - 最大:133W
封装:Original-Reel®
封裝/箱體:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
其他名稱:RGT30NS65DGTLDKR
工作溫度:-40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型:Surface Mount
濕度敏感度(MSL):1 (Unlimited)
製造商標準交貨期:15 Weeks
製造商零件編號:RGT30NS65DGTL
輸入類型:Standard
IGBT類型:Trench Field Stop
柵極電荷:32nC
展開說明:IGBT Trench Field Stop 650V 30A 133W Surface Mount LPDS (TO-263S)
描述:IGBT 650V 30A 133W TO-263S
電流 - 集電極脈衝(ICM):45A
電流 - 集電極(Ic)(最大):30A
Email:[email protected]

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