RFD3055LE - Fairchild/ON Semiconductor - 晶體管 - FET，MOSFET - 單 RFD3055LE

RFD3055LE

簡單介紹

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VGS（TH）（最大）@標識:	3V @ 250µA
Vgs（最大）:	±16V
技術:	MOSFET (Metal Oxide)
供應商設備封裝:	TO-251AA
系列:	-
RDS（ON）（最大值）@標識，柵極電壓:	107 mOhm @ 8A, 5V
功率耗散（最大）:	38W (Tc)
封装:	Tube
封裝/箱體:	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
工作溫度:	-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型:	Through Hole
濕度敏感度（MSL）:	1 (Unlimited)
製造商標準交貨期:	6 Weeks
製造商零件編號:	RFD3055LE
輸入電容（Ciss）（Max）@ Vds:	350pF @ 25V
柵極電荷（Qg）（Max）@ Vgs:	11.3nC @ 10V
FET型:	N-Channel
FET特點:	-
展開說明:	N-Channel 60V 11A (Tc) 38W (Tc) Through Hole TO-251AA
驅動電壓（最大Rds開，最小Rds開）:	5V
漏極至源極電壓（Vdss）:	60V
描述:	MOSFET N-CH 60V 11A I-PAK
電流 - 25°C連續排水（Id）:	11A (Tc)
Email:	[email protected]