RFD12N06RLESM9A
RFD12N06RLESM9A
型號:
RFD12N06RLESM9A
製造商:
Fairchild/ON Semiconductor
描述:
MOSFET N-CH 60V 18A DPAK
無鉛狀態/ RoHS狀態:
無鉛/符合RoHS
庫存數量:
16231 Pieces
數據表:
RFD12N06RLESM9A.pdf

簡單介紹

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產品特性

VGS(TH)(最大)@標識:3V @ 250µA
Vgs(最大):±16V
技術:MOSFET (Metal Oxide)
供應商設備封裝:TO-252AA
系列:UltraFET™
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓:63 mOhm @ 18A, 10V
功率耗散(最大):49W (Tc)
封装:Tape & Reel (TR)
封裝/箱體:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
其他名稱:RFD12N06RLESM9A-ND
RFD12N06RLESM9ATR
工作溫度:-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型:Surface Mount
濕度敏感度(MSL):1 (Unlimited)
製造商標準交貨期:6 Weeks
製造商零件編號:RFD12N06RLESM9A
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds:485pF @ 25V
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs:15nC @ 10V
FET型:N-Channel
FET特點:-
展開說明:N-Channel 60V 18A (Tc) 49W (Tc) Surface Mount TO-252AA
驅動電壓(最大Rds開,最小Rds開):4.5V, 10V
漏極至源極電壓(Vdss):60V
描述:MOSFET N-CH 60V 18A DPAK
電流 - 25°C連續排水(Id):18A (Tc)
Email:[email protected]

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