購買 PMV60EN,215與BYCHPS
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| VGS(TH)(最大)@標識: | 2V @ 1mA |
|---|---|
| 技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
| 供應商設備封裝: | TO-236AB (SOT23) |
| 系列: | TrenchMOS™ |
| RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓: | 55 mOhm @ 2A, 10V |
| 功率耗散(最大): | 280mW (Tj) |
| 封装: | Tape & Reel (TR) |
| 封裝/箱體: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| 其他名稱: | 568-2357-2 934057520215 PMV60EN T/R PMV60EN T/R-ND |
| 工作溫度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 安裝類型: | Surface Mount |
| 濕度敏感度(MSL): | 1 (Unlimited) |
| 製造商零件編號: | PMV60EN,215 |
| 輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds: | 350pF @ 30V |
| 柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs: | 9.4nC @ 10V |
| FET型: | N-Channel |
| FET特點: | - |
| 展開說明: | N-Channel 30V 4.7A (Tc) 280mW (Tj) Surface Mount TO-236AB (SOT23) |
| 漏極至源極電壓(Vdss): | 30V |
| 描述: | MOSFET N-CH 30V 4.7A SOT-23 |
| 電流 - 25°C連續排水(Id): | 4.7A (Tc) |
| Email: | [email protected] |