PDTC143ES,126 - NXP USA Inc. - 晶體管 - 雙極（BJT） - 單，預偏置 PDTC143ES,126

PDTC143ES,126

簡單介紹

BYCHIPS是 PDTC143ES,126的现货代理商，我們有庫存立即運輸，也可供長時間供應。請寄給我們您的PDTC143ES,126購買計劃通過電子郵件，我們會根據您的計劃給您最優惠的價格。

購買 PDTC143ES,126與BYCHPS

購買即有保證

電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:	50V
Vce飽和（最大）@ IB，IC:	150mV @ 500µA, 10mA
晶體管類型:	NPN - Pre-Biased
供應商設備封裝:	TO-92-3
系列:	-
電阻 - 發射極基（R 2）（歐姆）:	4.7k
電阻 - 基（R 1）（歐姆）:	4.7k
功率 - 最大:	500mW
封装:	Tape & Box (TB)
封裝/箱體:	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
其他名稱:	934047420126 PDTC143ES AMO PDTC143ES AMO-ND
安裝類型:	Through Hole
濕度敏感度（MSL）:	1 (Unlimited)
製造商零件編號:	PDTC143ES,126
頻率 - 轉換:	-
展開說明:	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 500mW Through Hole TO-92-3
描述:	TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3
直流電流增益（HFE）（最小值）@ IC，的Vce:	30 @ 10mA, 5V
電流 - 集電極截止（最大）:	1µA
電流 - 集電極（Ic）（最大）:	100mA
Email:	[email protected]