PDTB114ETR - Nexperia USA Inc. - 晶體管 - 雙極（BJT） - 單，預偏置 PDTB114ETR

PDTB114ETR

簡單介紹

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電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:	50V
Vce飽和（最大）@ IB，IC:	100mV @ 2.5mA, 50mA
晶體管類型:	PNP - Pre-Biased
供應商設備封裝:	TO-236AB (SOT23)
系列:	-
電阻 - 發射極基（R 2）（歐姆）:	10k
電阻 - 基（R 1）（歐姆）:	10k
功率 - 最大:	320mW
封装:	Tape & Reel (TR)
封裝/箱體:	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
其他名稱:	934031090215
安裝類型:	Surface Mount
濕度敏感度（MSL）:	1 (Unlimited)
製造商標準交貨期:	8 Weeks
製造商零件編號:	PDTB114ETR
頻率 - 轉換:	140MHz
展開說明:	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 500mA 140MHz 320mW Surface Mount TO-236AB (SOT23)
描述:	TRANS PREBIAS PNP 0.46W
直流電流增益（HFE）（最小值）@ IC，的Vce:	70 @ 50mA, 5V
電流 - 集電極截止（最大）:	500nA
電流 - 集電極（Ic）（最大）:	500mA
Email:	[email protected]