PBLS6002D,115 - Nexperia USA Inc. - 晶體管 - 雙極（BJT） - 陣列，預偏置 PBLS6002D,115

PBLS6002D,115

簡單介紹

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電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:	50V, 60V
Vce飽和（最大）@ IB，IC:	150mV @ 500µA, 10mA / 340mV @ 100mA, 1A
晶體管類型:	1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
供應商設備封裝:	6-TSOP
系列:	-
電阻 - 發射極基（R 2）（歐姆）:	4.7k
電阻 - 基（R 1）（歐姆）:	4.7k
功率 - 最大:	600mW
封装:	Tape & Reel (TR)
封裝/箱體:	SC-74, SOT-457
其他名稱:	1727-5705-2 568-7250-2 568-7250-2-ND 934059265115 PBLS6002D T/R PBLS6002D T/R-ND PBLS6002D,115-ND
安裝類型:	Surface Mount
濕度敏感度（MSL）:	1 (Unlimited)
製造商標準交貨期:	13 Weeks
製造商零件編號:	PBLS6002D,115
頻率 - 轉換:	185MHz
展開說明:	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP 50V, 60V 100mA, 700mA 185MHz 600mW Surface Mount 6-TSOP
描述:	TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.6W 6TSOP
直流電流增益（HFE）（最小值）@ IC，的Vce:	30 @ 20mA, 5V / 150 @ 500mA, 5V
電流 - 集電極截止（最大）:	1µA, 100nA
電流 - 集電極（Ic）（最大）:	100mA, 700mA
Email:	[email protected]