NVMFD5877NLT1G
NVMFD5877NLT1G
型號:
NVMFD5877NLT1G
製造商:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
描述:
MOSFET 2N-CH 60V 6A 8SOIC
無鉛狀態/ RoHS狀態:
無鉛/符合RoHS
庫存數量:
13157 Pieces
數據表:
NVMFD5877NLT1G.pdf

簡單介紹

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產品特性

VGS(TH)(最大)@標識:3V @ 250µA
供應商設備封裝:8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
系列:-
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓:39 mOhm @ 7.5A, 10V
功率 - 最大:3.2W
封装:Original-Reel®
封裝/箱體:8-PowerTDFN
其他名稱:NVMFD5877NLT1GOSDKR
工作溫度:-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型:Surface Mount
濕度敏感度(MSL):1 (Unlimited)
製造商標準交貨期:24 Weeks
製造商零件編號:NVMFD5877NLT1G
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds:540pF @ 25V
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs:20nC @ 10V
FET型:2 N-Channel (Dual)
FET特點:Logic Level Gate
展開說明:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 6A 3.2W Surface Mount 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
漏極至源極電壓(Vdss):60V
描述:MOSFET 2N-CH 60V 6A 8SOIC
電流 - 25°C連續排水(Id):6A
Email:[email protected]

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