購買 NVD5863NLT4G-VF01與BYCHPS
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VGS(TH)(最大)@標識: | 3V @ 250µA |
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Vgs(最大): | ±20V |
技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
供應商設備封裝: | DPAK |
系列: | - |
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓: | 7.1 mOhm @ 41A, 10V |
功率耗散(最大): | 3.1W (Ta), 96W (Tc) |
封装: | Tape & Reel (TR) |
封裝/箱體: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
其他名稱: | NVD5805NT4G-VF01 NVD5863NLT4G NVD5863NLT4G-ND NVD5863NLT4G-VF01TR NVD5863NLT4GOSTR-ND |
工作溫度: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
安裝類型: | Surface Mount |
濕度敏感度(MSL): | 1 (Unlimited) |
製造商標準交貨期: | 18 Weeks |
製造商零件編號: | NVD5863NLT4G-VF01 |
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds: | 3850pF @ 25V |
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs: | 70nC @ 10V |
FET型: | N-Channel |
FET特點: | - |
展開說明: | N-Channel 60V 14.9A (Ta), 82A (Tc) 3.1W (Ta), 96W (Tc) Surface Mount DPAK |
驅動電壓(最大Rds開,最小Rds開): | 4.5V, 10V |
漏極至源極電壓(Vdss): | 60V |
描述: | MOSFET N-CH 60V 14.9A DPAK |
電流 - 25°C連續排水(Id): | 14.9A (Ta), 82A (Tc) |
Email: | [email protected] |