NTB30N20T4G - ON Semiconductor - 晶體管 - FET，MOSFET - 單 NTB30N20T4G

NTB30N20T4G

簡單介紹

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VGS（TH）（最大）@標識:	4V @ 250µA
技術:	MOSFET (Metal Oxide)
供應商設備封裝:	D2PAK
系列:	-
RDS（ON）（最大值）@標識，柵極電壓:	81 mOhm @ 15A, 10V
功率耗散（最大）:	2W (Ta), 214W (Tc)
封装:	Tape & Reel (TR)
封裝/箱體:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
其他名稱:	NTB30N20T4GOS NTB30N20T4GOS-ND NTB30N20T4GOSTR
工作溫度:	-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型:	Surface Mount
濕度敏感度（MSL）:	1 (Unlimited)
製造商零件編號:	NTB30N20T4G
輸入電容（Ciss）（Max）@ Vds:	2335pF @ 25V
柵極電荷（Qg）（Max）@ Vgs:	100nC @ 10V
FET型:	N-Channel
FET特點:	-
展開說明:	N-Channel 200V 30A (Ta) 2W (Ta), 214W (Tc) Surface Mount D2PAK
漏極至源極電壓（Vdss）:	200V
描述:	MOSFET N-CH 200V 30A D2PAK
電流 - 25°C連續排水（Id）:	30A (Ta)
Email:	[email protected]