NSVMMUN2233LT3G - ON Semiconductor - 晶體管 - 雙極（BJT） - 單，預偏置 NSVMMUN2233LT3G

NSVMMUN2233LT3G

簡單介紹

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電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:	50V
Vce飽和（最大）@ IB，IC:	250mV @ 1mA, 10mA
晶體管類型:	NPN - Pre-Biased
供應商設備封裝:	SOT-23-3 (TO-236)
系列:	-
電阻 - 發射極基（R 2）（歐姆）:	47k
電阻 - 基（R 1）（歐姆）:	4.7k
功率 - 最大:	246mW
封装:	Tape & Reel (TR)
封裝/箱體:	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
安裝類型:	Surface Mount
濕度敏感度（MSL）:	1 (Unlimited)
製造商標準交貨期:	12 Weeks
製造商零件編號:	NSVMMUN2233LT3G
頻率 - 轉換:	-
展開說明:	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 246mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
描述:	TRANS PREBIAS NPN 0.246W SOT23
直流電流增益（HFE）（最小值）@ IC，的Vce:	80 @ 5mA, 10V
電流 - 集電極截止（最大）:	500nA
電流 - 集電極（Ic）（最大）:	100mA
Email:	[email protected]