購買 NSM21356DW6T1G與BYCHPS
購買即有保證
電壓 - 集電極發射極擊穿(最大): | 50V, 65V |
---|---|
Vce飽和(最大)@ IB,IC: | 250mV @ 300µA, 10mA / 650mV @ 5mA, 100mA |
晶體管類型: | 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP |
供應商設備封裝: | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
系列: | - |
電阻 - 發射極基(R 2)(歐姆): | 47k |
電阻 - 基(R 1)(歐姆): | 47k |
功率 - 最大: | 230mW |
封装: | Tape & Reel (TR) |
封裝/箱體: | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
安裝類型: | Surface Mount |
濕度敏感度(MSL): | 1 (Unlimited) |
製造商零件編號: | NSM21356DW6T1G |
頻率 - 轉換: | - |
展開說明: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP 50V, 65V 100mA 230mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363 |
描述: | TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT363 |
直流電流增益(HFE)(最小值)@ IC,的Vce: | 80 @ 5mA, 10V / 220 @ 2mA, 5V |
電流 - 集電極截止(最大): | 500nA |
電流 - 集電極(Ic)(最大): | 100mA |
Email: | [email protected] |