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NSBA113EDXV6T1G
NSBA113EDXV6T1G
型號:
NSBA113EDXV6T1G
製造商:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
描述:
TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT563
無鉛狀態/ RoHS狀態:
無鉛/符合RoHS
庫存數量:
15051 Pieces
數據表:
NSBA113EDXV6T1G.pdf
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簡單介紹

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產品特性

電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:50V
Vce飽和（最大）@ IB，IC:250mV @ 5mA, 10mA
晶體管類型:2 PNP - Pre-Biased (Dual)
供應商設備封裝:SC-88/SC70-6/SOT-363
系列:-
電阻 - 發射極基（R 2）（歐姆）:1k
電阻 - 基（R 1）（歐姆）:1k
功率 - 最大:250mW
封装:Tape & Reel (TR)
封裝/箱體:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
安裝類型:Surface Mount
濕度敏感度（MSL）:1 (Unlimited)
製造商標準交貨期:12 Weeks
製造商零件編號:NSBA113EDXV6T1G
頻率 - 轉換:-
展開說明:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
描述:TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT563
直流電流增益（HFE）（最小值）@ IC，的Vce:3 @ 5mA, 10V
電流 - 集電極截止（最大）:500nA
電流 - 集電極（Ic）（最大）:100mA
Email:[email protected]

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