NDD60N360U1-35G
NDD60N360U1-35G
型號:
NDD60N360U1-35G
製造商:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
描述:
MOSFET N-CH 600V 114A IPAK
無鉛狀態/ RoHS狀態:
無鉛/符合RoHS
庫存數量:
15398 Pieces
數據表:
NDD60N360U1-35G.pdf

簡單介紹

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產品特性

VGS(TH)(最大)@標識:4V @ 250µA
技術:MOSFET (Metal Oxide)
供應商設備封裝:I-Pak
系列:-
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓:360 mOhm @ 5.5A, 10V
功率耗散(最大):114W (Tc)
封装:Tube
封裝/箱體:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
工作溫度:-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型:Through Hole
濕度敏感度(MSL):1 (Unlimited)
製造商標準交貨期:6 Weeks
製造商零件編號:NDD60N360U1-35G
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds:790pF @ 50V
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs:26nC @ 10V
FET型:N-Channel
FET特點:-
展開說明:N-Channel 600V 11A (Tc) 114W (Tc) Through Hole I-Pak
漏極至源極電壓(Vdss):600V
描述:MOSFET N-CH 600V 114A IPAK
電流 - 25°C連續排水(Id):11A (Tc)
Email:[email protected]

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