購買 NDD03N40Z-1G與BYCHPS
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| VGS(TH)(最大)@標識: | 4.5V @ 50µA |
|---|---|
| 技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
| 供應商設備封裝: | IPAK (TO-251) |
| 系列: | - |
| RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓: | 3.4 Ohm @ 600mA, 10V |
| 功率耗散(最大): | 37W (Tc) |
| 封装: | Tube |
| 封裝/箱體: | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| 工作溫度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 安裝類型: | Through Hole |
| 濕度敏感度(MSL): | 3 (168 Hours) |
| 製造商標準交貨期: | 4 Weeks |
| 製造商零件編號: | NDD03N40Z-1G |
| 輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds: | 140pF @ 50V |
| 柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs: | 6.6nC @ 10V |
| FET型: | N-Channel |
| FET特點: | - |
| 展開說明: | N-Channel 400V 2.1A (Tc) 37W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251) |
| 漏極至源極電壓(Vdss): | 400V |
| 描述: | MOSFET N-CH 400V 2.1A IPAK-4 |
| 電流 - 25°C連續排水(Id): | 2.1A (Tc) |
| Email: | [email protected] |