MUN2111T1G - ON Semiconductor - 晶體管 - 雙極（BJT） - 單，預偏置 MUN2111T1G

MUN2111T1G

簡單介紹

BYCHIPS是 MUN2111T1G的现货代理商，我們有庫存立即運輸，也可供長時間供應。請寄給我們您的MUN2111T1G購買計劃通過電子郵件，我們會根據您的計劃給您最優惠的價格。

購買 MUN2111T1G與BYCHPS

購買即有保證

電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:	50V
Vce飽和（最大）@ IB，IC:	250mV @ 300µA, 10mA
晶體管類型:	PNP - Pre-Biased
供應商設備封裝:	SC-59
系列:	-
電阻 - 發射極基（R 2）（歐姆）:	10k
電阻 - 基（R 1）（歐姆）:	10k
功率 - 最大:	230mW
封装:	Tape & Reel (TR)
封裝/箱體:	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
其他名稱:	MUN2111T1GOS MUN2111T1GOS-ND MUN2111T1GOSTR
安裝類型:	Surface Mount
濕度敏感度（MSL）:	1 (Unlimited)
製造商標準交貨期:	5 Weeks
製造商零件編號:	MUN2111T1G
頻率 - 轉換:	-
展開說明:	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 230mW Surface Mount SC-59
描述:	TRANS PREBIAS PNP 230MW SC59
直流電流增益（HFE）（最小值）@ IC，的Vce:	35 @ 5mA, 10V
電流 - 集電極截止（最大）:	500nA
電流 - 集電極（Ic）（最大）:	100mA
Email:	[email protected]