JAN2N6798 - Microsemi Corporation - 晶體管 - FET，MOSFET - 單 JAN2N6798 - BYCHIPS

JAN2N6798

型號:: JAN2N6798

製造商:: Microsemi

描述:: MOSFET N-CH TO-205AF TO-39

無鉛狀態/ RoHS狀態:: 包含鉛/ RoHS不兼容

庫存數量:: 18414 Pieces

數據表:: JAN2N6798.pdf

簡單介紹

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產品特性

VGS（TH）（最大）@標識:	4V @ 250µA
技術:	MOSFET (Metal Oxide)
供應商設備封裝:	TO-39
系列:	Military, MIL-PRF-19500/557
RDS（ON）（最大值）@標識，柵極電壓:	420 mOhm @ 5.5A, 10V
功率耗散（最大）:	800mW (Ta), 25W (Tc)
封装:	Bulk
封裝/箱體:	TO-205AF Metal Can
其他名稱:	JAN2N6798-MIL
工作溫度:	-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型:	Through Hole
濕度敏感度（MSL）:	1 (Unlimited)
製造商零件編號:	JAN2N6798
輸入電容（Ciss）（Max）@ Vds:	-
柵極電荷（Qg）（Max）@ Vgs:	42.07nC @ 10V
FET型:	N-Channel
FET特點:	-
展開說明:	N-Channel 200V 5.5A (Tc) 800mW (Ta), 25W (Tc) Through Hole TO-39
漏極至源極電壓（Vdss）:	200V
描述:	MOSFET N-CH TO-205AF TO-39
電流 - 25°C連續排水（Id）:	5.5A (Tc)
Email:	[email protected]

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