IXYP20N65C3D1M - IXYS - 晶體管 - IGBT - 單 IXYP20N65C3D1M - BYCHIPS

IXYP20N65C3D1M

型號:: IXYP20N65C3D1M

製造商:: IXYS Corporation

描述:: IGBT 650V 18A 50W TO220

無鉛狀態/ RoHS狀態:: 無鉛/符合RoHS

庫存數量:: 14221 Pieces

數據表:: IXYP20N65C3D1M.pdf

簡單介紹

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產品特性

電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:	650V
的VCE（on）（最大）@ VGE，IC:	2.5V @ 15V, 20A
測試條件:	400V, 20A, 20 Ohm, 15V
Td（開/關）@ 25°C:	19ns/80ns
開關能量:	430µJ (on), 350µJ (off)
供應商設備封裝:	TO-220AB
系列:	GenX3™, XPT™
反向恢復時間（trr）:	30ns
功率 - 最大:	50W
封装:	Tube
封裝/箱體:	TO-220-3
工作溫度:	-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型:	Through Hole
濕度敏感度（MSL）:	1 (Unlimited)
製造商標準交貨期:	10 Weeks
製造商零件編號:	IXYP20N65C3D1M
輸入類型:	Standard
IGBT類型:	PT
柵極電荷:	30nC
展開說明:	IGBT PT 650V 18A 50W Through Hole TO-220AB
描述:	IGBT 650V 18A 50W TO220
電流 - 集電極脈衝（ICM）:	105A
電流 - 集電極（Ic）（最大）:	18A
Email:	[email protected]

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圖片	型號	製造商	描述	查看
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