購買 IXTB30N100L與BYCHPS
購買即有保證
VGS(TH)(最大)@標識: | 5V @ 250µA |
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技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
供應商設備封裝: | PLUS264™ |
系列: | - |
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓: | 450 mOhm @ 500mA, 20V |
功率耗散(最大): | 800W (Tc) |
封装: | Tube |
封裝/箱體: | TO-264-3, TO-264AA |
工作溫度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
安裝類型: | Through Hole |
濕度敏感度(MSL): | 1 (Unlimited) |
製造商零件編號: | IXTB30N100L |
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds: | 13200pF @ 25V |
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs: | 545nC @ 20V |
FET型: | N-Channel |
FET特點: | - |
展開說明: | N-Channel 1000V (1kV) 30A (Tc) 800W (Tc) Through Hole PLUS264™ |
漏極至源極電壓(Vdss): | 1000V (1kV) |
描述: | MOSFET N-CH 1000V 30A PLUS264 |
電流 - 25°C連續排水(Id): | 30A (Tc) |
Email: | [email protected] |