購買 IXTA1R6N100D2與BYCHPS
購買即有保證
VGS(TH)(最大)@標識: | - |
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技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
供應商設備封裝: | TO-263 (IXTA) |
系列: | - |
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓: | 10 Ohm @ 800mA, 0V |
功率耗散(最大): | 100W (Tc) |
封装: | Tube |
封裝/箱體: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
工作溫度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
安裝類型: | Surface Mount |
濕度敏感度(MSL): | 1 (Unlimited) |
製造商標準交貨期: | 8 Weeks |
製造商零件編號: | IXTA1R6N100D2 |
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds: | 645pF @ 25V |
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs: | 27nC @ 5V |
FET型: | N-Channel |
FET特點: | Depletion Mode |
展開說明: | N-Channel 1000V (1kV) 1.6A (Tc) 100W (Tc) Surface Mount TO-263 (IXTA) |
漏極至源極電壓(Vdss): | 1000V (1kV) |
描述: | MOSFET N-CH 1000V 1.6A D2PAK |
電流 - 25°C連續排水(Id): | 1.6A (Tc) |
Email: | [email protected] |