IXTA1R6N100D2
IXTA1R6N100D2
型號:
IXTA1R6N100D2
製造商:
IXYS Corporation
描述:
MOSFET N-CH 1000V 1.6A D2PAK
無鉛狀態/ RoHS狀態:
無鉛/符合RoHS
庫存數量:
16395 Pieces
數據表:
IXTA1R6N100D2.pdf

簡單介紹

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產品特性

VGS(TH)(最大)@標識:-
技術:MOSFET (Metal Oxide)
供應商設備封裝:TO-263 (IXTA)
系列:-
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓:10 Ohm @ 800mA, 0V
功率耗散(最大):100W (Tc)
封装:Tube
封裝/箱體:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
工作溫度:-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型:Surface Mount
濕度敏感度(MSL):1 (Unlimited)
製造商標準交貨期:8 Weeks
製造商零件編號:IXTA1R6N100D2
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds:645pF @ 25V
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs:27nC @ 5V
FET型:N-Channel
FET特點:Depletion Mode
展開說明:N-Channel 1000V (1kV) 1.6A (Tc) 100W (Tc) Surface Mount TO-263 (IXTA)
漏極至源極電壓(Vdss):1000V (1kV)
描述:MOSFET N-CH 1000V 1.6A D2PAK
電流 - 25°C連續排水(Id):1.6A (Tc)
Email:[email protected]

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