IXGT30N120B3D1 - IXYS - 晶體管 - IGBT - 單 IXGT30N120B3D1 - BYCHIPS

IXGT30N120B3D1

型號:: IXGT30N120B3D1

製造商:: IXYS Corporation

描述:: IGBT 1200V 300W TO268

無鉛狀態/ RoHS狀態:: 無鉛/符合RoHS

庫存數量:: 19357 Pieces

數據表:: IXGT30N120B3D1.pdf

簡單介紹

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產品特性

電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:	1200V
的VCE（on）（最大）@ VGE，IC:	3.5V @ 15V, 30A
測試條件:	960V, 30A, 5 Ohm, 15V
Td（開/關）@ 25°C:	16ns/127ns
開關能量:	3.47mJ (on), 2.16mJ (off)
供應商設備封裝:	TO-268
系列:	GenX3™
反向恢復時間（trr）:	100ns
功率 - 最大:	300W
封装:	Tube
封裝/箱體:	TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
工作溫度:	-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型:	Surface Mount
濕度敏感度（MSL）:	1 (Unlimited)
製造商標準交貨期:	8 Weeks
製造商零件編號:	IXGT30N120B3D1
輸入類型:	Standard
IGBT類型:	PT
柵極電荷:	87nC
展開說明:	IGBT PT 1200V 300W Surface Mount TO-268
描述:	IGBT 1200V 300W TO268
電流 - 集電極脈衝（ICM）:	150A
電流 - 集電極（Ic）（最大）:	-
Email:	[email protected]

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