IXGQ35N120BD1 - IXYS - 晶體管 - IGBT - 單 IXGQ35N120BD1 - BYCHIPS

IXGQ35N120BD1

型號:: IXGQ35N120BD1

製造商:: IXYS Corporation

描述:: IGBT 1200V 75A 400W TO3P

無鉛狀態/ RoHS狀態:: 無鉛/符合RoHS

庫存數量:: 19868 Pieces

數據表:: IXGQ35N120BD1.pdf

簡單介紹

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產品特性

電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:	1200V
的VCE（on）（最大）@ VGE，IC:	3.3V @ 15V, 35A
測試條件:	960V, 35A, 3 Ohm, 15V
Td（開/關）@ 25°C:	40ns/270ns
開關能量:	900µJ (on), 3.8mJ (off)
供應商設備封裝:	TO-3P
系列:	-
反向恢復時間（trr）:	40ns
功率 - 最大:	400W
封装:	Tube
封裝/箱體:	TO-3P-3, SC-65-3
工作溫度:	-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型:	Through Hole
濕度敏感度（MSL）:	1 (Unlimited)
製造商零件編號:	IXGQ35N120BD1
輸入類型:	Standard
IGBT類型:	-
柵極電荷:	140nC
展開說明:	IGBT 1200V 75A 400W Through Hole TO-3P
描述:	IGBT 1200V 75A 400W TO3P
電流 - 集電極脈衝（ICM）:	200A
電流 - 集電極（Ic）（最大）:	75A
Email:	[email protected]

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