購買 IXFP4N100Q與BYCHPS
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| VGS(TH)(最大)@標識: | 5V @ 1.5mA |
|---|---|
| Vgs(最大): | ±20V |
| 技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
| 供應商設備封裝: | TO-220AB |
| 系列: | HiPerFET™ |
| RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓: | 3 Ohm @ 2A, 10V |
| 功率耗散(最大): | 150W (Tc) |
| 封装: | Tube |
| 封裝/箱體: | TO-220-3 |
| 工作溫度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 安裝類型: | Through Hole |
| 濕度敏感度(MSL): | 1 (Unlimited) |
| 製造商標準交貨期: | 8 Weeks |
| 製造商零件編號: | IXFP4N100Q |
| 輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds: | 1050pF @ 25V |
| 柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs: | 39nC @ 10V |
| FET型: | N-Channel |
| FET特點: | - |
| 展開說明: | N-Channel 1000V (1kV) 4A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-220AB |
| 驅動電壓(最大Rds開,最小Rds開): | 10V |
| 漏極至源極電壓(Vdss): | 1000V (1kV) |
| 描述: | MOSFET N-CH 1000V 4A TO-220 |
| 電流 - 25°C連續排水(Id): | 4A (Tc) |
| Email: | [email protected] |