購買 IXFP130N10T2與BYCHPS
購買即有保證
VGS(TH)(最大)@標識: | 4.5V @ 1mA |
---|---|
技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
供應商設備封裝: | TO-220AB |
系列: | GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™ |
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓: | 9.1 mOhm @ 65A, 10V |
功率耗散(最大): | 360W (Tc) |
封装: | Tube |
封裝/箱體: | TO-220-3 |
工作溫度: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
安裝類型: | Through Hole |
濕度敏感度(MSL): | 1 (Unlimited) |
製造商標準交貨期: | 8 Weeks |
製造商零件編號: | IXFP130N10T2 |
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds: | 6600pF @ 25V |
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs: | 130nC @ 10V |
FET型: | N-Channel |
FET特點: | - |
展開說明: | N-Channel 100V 130A (Tc) 360W (Tc) Through Hole TO-220AB |
漏極至源極電壓(Vdss): | 100V |
描述: | MOSFET N-CH 100V 130A TO-220 |
電流 - 25°C連續排水(Id): | 130A (Tc) |
Email: | [email protected] |