購買 IXFB50N80Q2與BYCHPS
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| VGS(TH)(最大)@標識: | 5.5V @ 8mA |
|---|---|
| 技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
| 供應商設備封裝: | PLUS264™ |
| 系列: | HiPerFET™ |
| RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓: | 160 mOhm @ 500mA, 10V |
| 功率耗散(最大): | 1135W (Tc) |
| 封装: | Tube |
| 封裝/箱體: | TO-264-3, TO-264AA |
| 工作溫度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 安裝類型: | Through Hole |
| 濕度敏感度(MSL): | 1 (Unlimited) |
| 製造商標準交貨期: | 8 Weeks |
| 製造商零件編號: | IXFB50N80Q2 |
| 輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds: | 7200pF @ 25V |
| 柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs: | 260nC @ 10V |
| FET型: | N-Channel |
| FET特點: | - |
| 展開說明: | N-Channel 800V 50A (Tc) 1135W (Tc) Through Hole PLUS264™ |
| 漏極至源極電壓(Vdss): | 800V |
| 描述: | MOSFET N-CH 800V 50A PLUS264 |
| 電流 - 25°C連續排水(Id): | 50A (Tc) |
| Email: | [email protected] |