IRLMS2002 - Infineon Technologies - 晶體管 - FET，MOSFET - 單 IRLMS2002

IRLMS2002

簡單介紹

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VGS（TH）（最大）@標識:	1.2V @ 250µA
技術:	MOSFET (Metal Oxide)
供應商設備封裝:	Micro6™(SOT23-6)
系列:	HEXFET®
RDS（ON）（最大值）@標識，柵極電壓:	30 mOhm @ 6.5A, 4.5V
功率耗散（最大）:	2W (Ta)
封装:	Tube
封裝/箱體:	SOT-23-6
安裝類型:	Surface Mount
濕度敏感度（MSL）:	1 (Unlimited)
製造商零件編號:	IRLMS2002
輸入電容（Ciss）（Max）@ Vds:	1310pF @ 15V
柵極電荷（Qg）（Max）@ Vgs:	22nC @ 5V
FET型:	N-Channel
FET特點:	-
展開說明:	N-Channel 20V 6.5A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount Micro6™(SOT23-6)
漏極至源極電壓（Vdss）:	20V
描述:	MOSFET N-CH 20V 6.5A TSOP-6
電流 - 25°C連續排水（Id）:	6.5A (Ta)
Email:	[email protected]