IRFU4105Z - Infineon Technologies - 晶體管 - FET，MOSFET - 單 IRFU4105Z

IRFU4105Z

簡單介紹

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VGS（TH）（最大）@標識:	4V @ 250µA
技術:	MOSFET (Metal Oxide)
供應商設備封裝:	IPAK (TO-251)
系列:	HEXFET®
RDS（ON）（最大值）@標識，柵極電壓:	24.5 mOhm @ 18A, 10V
功率耗散（最大）:	48W (Tc)
封装:	Tube
封裝/箱體:	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
其他名稱:	*IRFU4105Z
工作溫度:	-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型:	Through Hole
濕度敏感度（MSL）:	1 (Unlimited)
製造商零件編號:	IRFU4105Z
輸入電容（Ciss）（Max）@ Vds:	740pF @ 25V
柵極電荷（Qg）（Max）@ Vgs:	27nC @ 10V
FET型:	N-Channel
FET特點:	-
展開說明:	N-Channel 55V 30A (Tc) 48W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251)
漏極至源極電壓（Vdss）:	55V
描述:	MOSFET N-CH 55V 30A I-PAK
電流 - 25°C連續排水（Id）:	30A (Tc)
Email:	[email protected]