IRFH8337TR2PBF - Infineon Technologies - 晶體管 - FET，MOSFET - 單 IRFH8337TR2PBF

IRFH8337TR2PBF

簡單介紹

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VGS（TH）（最大）@標識:	2.35V @ 25µA
技術:	MOSFET (Metal Oxide)
供應商設備封裝:	PQFN (5x6)
系列:	HEXFET®
RDS（ON）（最大值）@標識，柵極電壓:	12.8 mOhm @ 16.2A, 10V
功率耗散（最大）:	3.2W (Ta), 27W (Tc)
封装:	Original-Reel®
封裝/箱體:	8-PowerTDFN
其他名稱:	IRFH8337TR2PBFDKR
工作溫度:	-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型:	Surface Mount
濕度敏感度（MSL）:	3 (168 Hours)
製造商零件編號:	IRFH8337TR2PBF
輸入電容（Ciss）（Max）@ Vds:	790pF @ 10V
柵極電荷（Qg）（Max）@ Vgs:	10nC @ 10V
FET型:	N-Channel
FET特點:	-
展開說明:	N-Channel 30V 12A (Ta), 35A (Tc) 3.2W (Ta), 27W (Tc) Surface Mount PQFN (5x6)
漏極至源極電壓（Vdss）:	30V
描述:	MOSFET N-CH 30V 9.7A 5X6 PQFN
電流 - 25°C連續排水（Id）:	12A (Ta), 35A (Tc)
Email:	[email protected]