IRFH5104TR2PBF - Infineon Technologies - 晶體管 - FET，MOSFET - 單 IRFH5104TR2PBF

IRFH5104TR2PBF

簡單介紹

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VGS（TH）（最大）@標識:	4V @ 100µA
技術:	MOSFET (Metal Oxide)
供應商設備封裝:	PQFN (5x6)
系列:	HEXFET®
RDS（ON）（最大值）@標識，柵極電壓:	3.5 mOhm @ 50A, 10V
功率耗散（最大）:	3.6W (Ta), 114W (Tc)
封装:	Tape & Reel (TR)
封裝/箱體:	8-VQFN Exposed Pad
其他名稱:	IRFH5104TR2PBF-ND IRFH5104TR2PBFTR SP001560360
工作溫度:	-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型:	Surface Mount
濕度敏感度（MSL）:	1 (Unlimited)
製造商零件編號:	IRFH5104TR2PBF
輸入電容（Ciss）（Max）@ Vds:	3120pF @ 25V
柵極電荷（Qg）（Max）@ Vgs:	80nC @ 10V
FET型:	N-Channel
FET特點:	-
展開說明:	N-Channel 40V 24A (Ta), 100A (Tc) 3.6W (Ta), 114W (Tc) Surface Mount PQFN (5x6)
漏極至源極電壓（Vdss）:	40V
描述:	MOSFET N-CH 40V 24A PQFN
電流 - 25°C連續排水（Id）:	24A (Ta), 100A (Tc)
Email:	[email protected]