IRFH4213DTRPBF - Infineon Technologies - 晶體管 - FET，MOSFET - 單 IRFH4213DTRPBF

IRFH4213DTRPBF

簡單介紹

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VGS（TH）（最大）@標識:	2.1V @ 100µA
技術:	MOSFET (Metal Oxide)
供應商設備封裝:	PQFN (5x6)
系列:	HEXFET®
RDS（ON）（最大值）@標識，柵極電壓:	1.35 mOhm @ 50A, 10V
功率耗散（最大）:	3.6W (Ta), 96W (Tc)
封装:	Tape & Reel (TR)
封裝/箱體:	8-PowerTDFN
其他名稱:	IRFH4213DTRPBFTR SP001556336
工作溫度:	-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型:	Surface Mount
濕度敏感度（MSL）:	1 (Unlimited)
製造商零件編號:	IRFH4213DTRPBF
輸入電容（Ciss）（Max）@ Vds:	3520pF @ 13V
柵極電荷（Qg）（Max）@ Vgs:	55nC @ 10V
FET型:	N-Channel
FET特點:	-
展開說明:	N-Channel 25V 40A (Ta) 3.6W (Ta), 96W (Tc) Surface Mount PQFN (5x6)
漏極至源極電壓（Vdss）:	25V
描述:	MOSFET N-CH 25V 40A 8PQFN
電流 - 25°C連續排水（Id）:	40A (Ta)
Email:	[email protected]