購買 IRFD9110PBF與BYCHPS
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| VGS(TH)(最大)@標識: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs(最大): | ±20V |
| 技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
| 供應商設備封裝: | 4-DIP, Hexdip, HVMDIP |
| 系列: | - |
| RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓: | 1.2 Ohm @ 420mA, 10V |
| 功率耗散(最大): | 1.3W (Ta) |
| 封装: | Tube |
| 封裝/箱體: | 4-DIP (0.300", 7.62mm) |
| 其他名稱: | *IRFD9110PBF |
| 工作溫度: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 安裝類型: | Through Hole |
| 濕度敏感度(MSL): | 1 (Unlimited) |
| 製造商標準交貨期: | 12 Weeks |
| 製造商零件編號: | IRFD9110PBF |
| 輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds: | 200pF @ 25V |
| 柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs: | 8.7nC @ 10V |
| FET型: | P-Channel |
| FET特點: | - |
| 展開說明: | P-Channel 100V 700mA (Ta) 1.3W (Ta) Through Hole 4-DIP, Hexdip, HVMDIP |
| 驅動電壓(最大Rds開,最小Rds開): | 10V |
| 漏極至源極電壓(Vdss): | 100V |
| 描述: | MOSFET P-CH 100V 0.7A 4-DIP |
| 電流 - 25°C連續排水(Id): | 700mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |