IRFB7434GPBF - Infineon Technologies - 晶體管 - FET，MOSFET - 單 IRFB7434GPBF

IRFB7434GPBF

簡單介紹

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VGS（TH）（最大）@標識:	3.9V @ 250µA
技術:	MOSFET (Metal Oxide)
供應商設備封裝:	TO-220-3
系列:	HEXFET®, StrongIRFET™
RDS（ON）（最大值）@標識，柵極電壓:	1.6 mOhm @ 100A, 10V
功率耗散（最大）:	-
封装:	Tube
封裝/箱體:	TO-220-3
其他名稱:	SP001577770
工作溫度:	-
安裝類型:	Through Hole
濕度敏感度（MSL）:	1 (Unlimited)
製造商標準交貨期:	14 Weeks
製造商零件編號:	IRFB7434GPBF
輸入電容（Ciss）（Max）@ Vds:	10820pF @ 25V
柵極電荷（Qg）（Max）@ Vgs:	324nC @ 10V
FET型:	N-Channel
FET特點:	-
展開說明:	N-Channel 40V 195A (Tc) Through Hole TO-220-3
漏極至源極電壓（Vdss）:	40V
描述:	MOSFET N CH 40V 195A TO220AB
電流 - 25°C連續排水（Id）:	195A (Tc)
Email:	[email protected]