IRF7601TR - Infineon Technologies - 晶體管 - FET，MOSFET - 單 IRF7601TR

IRF7601TR

簡單介紹

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VGS（TH）（最大）@標識:	700mV @ 250µA
技術:	MOSFET (Metal Oxide)
供應商設備封裝:	Micro8™
系列:	HEXFET®
RDS（ON）（最大值）@標識，柵極電壓:	35 mOhm @ 3.8A, 4.5V
功率耗散（最大）:	1.8W (Ta)
封装:	Original-Reel®
封裝/箱體:	8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
其他名稱:	IRF7601DKR
工作溫度:	-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型:	Surface Mount
濕度敏感度（MSL）:	1 (Unlimited)
製造商零件編號:	IRF7601TR
輸入電容（Ciss）（Max）@ Vds:	650pF @ 15V
柵極電荷（Qg）（Max）@ Vgs:	22nC @ 4.5V
FET型:	N-Channel
FET特點:	-
展開說明:	N-Channel 20V 5.7A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount Micro8™
漏極至源極電壓（Vdss）:	20V
描述:	MOSFET N-CH 20V 5.7A MICRO8
電流 - 25°C連續排水（Id）:	5.7A (Ta)
Email:	[email protected]