購買 IRF6622TR1PBF與BYCHPS
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VGS(TH)(最大)@標識: | 2.35V @ 25µA |
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技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
供應商設備封裝: | DIRECTFET™ SQ |
系列: | HEXFET® |
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓: | 6.3 mOhm @ 15A, 10V |
功率耗散(最大): | 2.2W (Ta), 34W (Tc) |
封装: | Tape & Reel (TR) |
封裝/箱體: | DirectFET™ Isometric SQ |
其他名稱: | IRF6622TR1PBFTR SP001528836 |
工作溫度: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
安裝類型: | Surface Mount |
濕度敏感度(MSL): | 1 (Unlimited) |
製造商零件編號: | IRF6622TR1PBF |
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds: | 1450pF @ 13V |
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs: | 17nC @ 4.5V |
FET型: | N-Channel |
FET特點: | - |
展開說明: | N-Channel 25V 15A (Ta), 59A (Tc) 2.2W (Ta), 34W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ SQ |
漏極至源極電壓(Vdss): | 25V |
描述: | MOSFET N-CH 25V 15A DIRECTFET |
電流 - 25°C連續排水(Id): | 15A (Ta), 59A (Tc) |
Email: | [email protected] |