購買 IRF6610TR1與BYCHPS
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| VGS(TH)(最大)@標識: | 2.55V @ 250µA |
|---|---|
| 技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
| 供應商設備封裝: | DIRECTFET™ SQ |
| 系列: | HEXFET® |
| RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓: | 6.8 mOhm @ 15A, 10V |
| 功率耗散(最大): | 2.2W (Ta), 42W (Tc) |
| 封装: | Tape & Reel (TR) |
| 封裝/箱體: | DirectFET™ Isometric SQ |
| 其他名稱: | IRF6610TR1TR |
| 工作溫度: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 安裝類型: | Surface Mount |
| 濕度敏感度(MSL): | 3 (168 Hours) |
| 製造商零件編號: | IRF6610TR1 |
| 輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds: | 1520pF @ 10V |
| 柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs: | 17nC @ 4.5V |
| FET型: | N-Channel |
| FET特點: | - |
| 展開說明: | N-Channel 20V 15A (Ta), 66A (Tc) 2.2W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ SQ |
| 漏極至源極電壓(Vdss): | 20V |
| 描述: | MOSFET N-CH 20V 15A DIRECTFET |
| 電流 - 25°C連續排水(Id): | 15A (Ta), 66A (Tc) |
| Email: | [email protected] |