購買 IRF5802TR與BYCHPS
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VGS(TH)(最大)@標識: | 5.5V @ 250µA |
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技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
供應商設備封裝: | Micro6™(TSOP-6) |
系列: | HEXFET® |
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓: | 1.2 Ohm @ 540mA, 10V |
功率耗散(最大): | 2W (Ta) |
封装: | Original-Reel® |
封裝/箱體: | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
其他名稱: | IRF5802TRDKR |
工作溫度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
安裝類型: | Surface Mount |
濕度敏感度(MSL): | 1 (Unlimited) |
製造商零件編號: | IRF5802TR |
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds: | 88pF @ 25V |
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs: | 6.8nC @ 10V |
FET型: | N-Channel |
FET特點: | - |
展開說明: | N-Channel 150V 900mA (Ta) 2W (Ta) Surface Mount Micro6™(TSOP-6) |
漏極至源極電壓(Vdss): | 150V |
描述: | MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-TSOP |
電流 - 25°C連續排水(Id): | 900mA (Ta) |
Email: | [email protected] |