IRF3415SPBF - Infineon Technologies - 晶體管 - FET，MOSFET - 單 IRF3415SPBF

IRF3415SPBF

簡單介紹

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VGS（TH）（最大）@標識:	4V @ 250µA
技術:	MOSFET (Metal Oxide)
供應商設備封裝:	D2PAK
系列:	HEXFET®
RDS（ON）（最大值）@標識，柵極電壓:	42 mOhm @ 22A, 10V
功率耗散（最大）:	3.8W (Ta), 200W (Tc)
封装:	Tube
封裝/箱體:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
其他名稱:	*IRF3415SPBF 64-2079PBF 64-2079PBF-ND SP001561532
工作溫度:	-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型:	Surface Mount
濕度敏感度（MSL）:	1 (Unlimited)
製造商零件編號:	IRF3415SPBF
輸入電容（Ciss）（Max）@ Vds:	2400pF @ 25V
柵極電荷（Qg）（Max）@ Vgs:	200nC @ 10V
FET型:	N-Channel
FET特點:	-
展開說明:	N-Channel 150V 43A (Tc) 3.8W (Ta), 200W (Tc) Surface Mount D2PAK
漏極至源極電壓（Vdss）:	150V
描述:	MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK
電流 - 25°C連續排水（Id）:	43A (Tc)
Email:	[email protected]