購買 IPU60R1K4C6AKMA1與BYCHPS
購買即有保證
VGS(TH)(最大)@標識: | 3.5V @ 90µA |
---|---|
技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
供應商設備封裝: | PG-TO251 |
系列: | CoolMOS™ C6 |
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓: | 1.4 Ohm @ 1.1A, 10V |
功率耗散(最大): | 28.4W (Tc) |
封装: | Tube |
封裝/箱體: | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
其他名稱: | SP001292874 |
工作溫度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
安裝類型: | Through Hole |
濕度敏感度(MSL): | 3 (168 Hours) |
製造商標準交貨期: | 12 Weeks |
製造商零件編號: | IPU60R1K4C6AKMA1 |
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds: | 200pF @ 100V |
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs: | 9.4nC @ 10V |
FET型: | N-Channel |
FET特點: | - |
展開說明: | N-Channel 600V 3.2A (Tc) 28.4W (Tc) Through Hole PG-TO251 |
漏極至源極電壓(Vdss): | 600V |
描述: | MOSFET N-CH 600V TO-251-3 |
電流 - 25°C連續排水(Id): | 3.2A (Tc) |
Email: | [email protected] |