購買 IPT60R150G7XTMA1與BYCHPS
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VGS(TH)(最大)@標識: | 4V @ 260µA |
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Vgs(最大): | ±20V |
技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
供應商設備封裝: | PG-HSOF-8 |
系列: | CoolMOS™ G7 |
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓: | 150 mOhm @ 5.3A, 10V |
功率耗散(最大): | 106W (Tc) |
封装: | Original-Reel® |
封裝/箱體: | 8-PowerSFN |
其他名稱: | IPT60R150G7XTMA1DKR |
工作溫度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
安裝類型: | Surface Mount |
濕度敏感度(MSL): | 1 (Unlimited) |
製造商標準交貨期: | 16 Weeks |
製造商零件編號: | IPT60R150G7XTMA1 |
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds: | 902pF @ 400V |
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs: | 23nC @ 10V |
FET型: | N-Channel |
FET特點: | - |
展開說明: | N-Channel 650V 17A (Tc) 106W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8 |
驅動電壓(最大Rds開,最小Rds開): | 10V |
漏極至源極電壓(Vdss): | 650V |
描述: | MOSFET N-CH 650V 17A HSOF-8 |
電流 - 25°C連續排水(Id): | 17A (Tc) |
Email: | [email protected] |